:: Фоторезисторы с пластиковым корпусом 9P ::

Тип № Максимальные значения Характеристика E (@25°) Прилагаемое напряжение @25° (Vdc) Допустимая мощность @25° (мВт) Температура окружающей среды (°) Сопротивление ячейки A C 100~10 лкс Тип Время отклика @10 лкс D 10 лкс (@2856K) 0 лкс B Время повышенияD (мс) Время уменьшенияD (мс) Мин. (кОм) Макс. (кОм) Мин. (МОм) 9001 150 90 -30~+75 4 11 0.3 0.65 60 25 9002 150 90 -30~+75 9 20 0.5 0.6 60 25 9002-1 150 90 -30~+75 11 27 0.5 0.7 60 25 9003 150 90 -30~+75 16 33 1 0.8 60 25 9003-1 150 90 -30~+75 23 33 1 0.85 60 25 9004 150 90 -30~+75 27 60 2 0.85 60 25 9005 150 90 -30~+75 50 94 2.5 0.9 60 25 9005-1 150 90 -30~+75 48 140 20 0.9 60 25 9006 150 90 -30~+75 80 200 5 1 60 25 9007 150 90 -30~+75 10 100 1 0.8 60 25 9008 150 90 -30~+75 10 200 20 0.85 60 25 9103 150 90 -30~+75 20 45 1 0.8 60 25 9200 150 90 -30~+75 10 50 5 09 70 25 9203 150 90 -30~+75 5 20 20 0.9 70 25 Зависимость сопротивления от освещенности Зависимость сопротивления от температуры A. Измерялось при свете вольфрамовой лампы с температурой цвета 2856К. B. Измерялось 10 с после удаления источника освещения в 10 люкс. C. Гамма характеристики между 10 - 100 люкс вычислены по формуле: Где R100 R10 сопротивление ячеек при 100 и 10 люксах соответственно Е100, Е10: освещенность 100 и 10 люкс соответственно. D. Время повышения это время требуемое для достижения ячейкой 63% уровня насыщения. Время уменьшения это время требуемое для достижения в ячейке 37% уровня насыщения. E. Все измерения проводились в следующих условиях: ячейки освещались светом (от 100 до 500 люкс) от 1 до 2 часов. Размеры