:: Фоторезисторы с пластиковым корпусом 8P ::

Тип № Максимальные значения Характеристика E (@25°) Прилагаемое напряжение @25° (Vdc) Допустимая мощность @25° (мВт) Температура окружающей среды (°) Сопротивление ячейки A C 100~10 лкс Тип Время отклика @10 лкс D 10 лкс (@2856K) 0 лкс B Время повышенияD (мс) Время уменьшенияD (мс) Мин. (кОм) Макс. (кОм) Мин. (МОм) 8001 150 100 -30~+75 3 11 0.2 0.6 50 20 8002 150 100 -30~+75 8 24 0.5 0.65 50 20 8003 150 100 -30~+75 16 33 0.5 0.7 55 20 8004 150 100 -30~+75 20 60 0.5 0.75 55 20 8005 150 100 -30~+75 40 120 1 0.8 60 25 8006 150 100 -30~+75 80 240 5 0.85 60 25 8101 150 100 -30~+75 4 11 0.15 0.65 55 20 8102 150 100 -30~+75 9 20 0.3 0.7 60 25 8103 150 100 -30~+75 16 33 0.5 0.75 60 25 8104 150 100 -30~+75 27 60 2 0.8 60 25 8105 150 90 -30~+75 50 94 2.5 0.85 60 25 8106 150 90 -30~+75 50 140 20 0.9 60 25 8107 150 90 -30~+75 80 240 20 0.9 70 25 Зависимость сопротивления от освещенности Зависимость сопротивления от температуры A. Измерялось при свете вольфрамовой лампы с температурой цвета 2856К. B. Измерялось 10 с после удаления источника освещения в 10 люкс. C. Гамма характеристики между 10 - 100 люкс вычислены по формуле: Где R100 R10 сопротивление ячеек при 100 и 10 люксах соответственно Е100, Е10: освещенность 100 10 люкс соответственно. D. Время повышения это время требуемое для достижения ячейкой 63% уровня насыщения. Время уменьшения это время требуемое для достижения в ячейке 37% уровня насыщения. E. Все измерения проводились в следующих условиях: ячейки освещались светом (от 100 до 500 люкс) от 1 до 2 часов. Размеры